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蘇州中頻感應加熱機-輸出功率半導體技術的融合

發(fā)布者：吉宇鵬時間：2011-06-17 00:00:00
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在50時代前,感應加熱機關鍵有:工頻感應熔煉機,電磁倍頻器,中頻發(fā)電機組和電子管震動器式高壓電源。50時代末可控硅的出現(xiàn)則意味著固體集成電路工藝為關鍵的現(xiàn)代電力電子學的剛開端。硅晶閘管的出現(xiàn)促進了感應力熱電源及中頻感應加熱機應用的迅猛成長。


70時代末到80時代初,現(xiàn)代半導體材料微型機集成化臨盆加工技巧性與輸出功率半導體技巧的融合,為開辟設計新式輸出功率集成電路工藝出示了標準,陸續(xù)出現(xiàn)了一大年夜批全控型電力電子技巧集成電路工藝,巨大年夜地促進了電力電子學成長趨勢,為固態(tài)超音頻、高頻電源、中頻感應加熱機的研發(fā)出示了堅實的基本。

迄今,在高頻(500Hz~10kHz)范圍之內(nèi),可控硅中頻感應加熱機機已*替代了傳統(tǒng)式的中頻發(fā)電機組和電磁感應倍頻器。在高頻率范圍之內(nèi),因為晶閘管自身電源開關特點等重要參數(shù)的限制,給研發(fā)該頻率段的開關電源產(chǎn)生了挺大年夜的技巧程度,它務必根據(jù)更改電源電路拓撲構(gòu)造才有將會保持。






1983年IGBT的面世進-步促進了感應加熱機的成長趨勢，IGBT綜合性了MOS和雙極晶體管的優(yōu)勢,具備通態(tài)壓削減,電源開關速度更快,易驅(qū)動器等優(yōu)勢,自1988年處理了擎住難題后,功率髙速IGBT己變成諸多中頻感應加熱機的*元器件,頻率達到100kHz輸出功率達到MW級開關電源已可保持。